华中科技大学 电子技术基础 模拟部分 康华光 第六版第6版 高等教育出版社 康华光模拟电子技术基础教程 考研指定教材用书

书 名： 电子技术基础 模拟部分（第六版）

出版社：高等教育出版社

作 者： 康华光

ISBN： 978-7-04-038480-2

出版日期：2013-12-30

页码：576

字数：920000

开本：16开

定价：58.50元

 

由康华光主编的《电子技术基础》（模拟、数字部分）第一、二、三、四版（高等教育出版社，1979、1982、1988、1999年）曾先后于1988、1992、1996、2002年荣获四次国家级奖励，含优秀教材奖、优秀教材特等奖、科技进步二等奖和优秀教材一等奖。主持研究的“优化电子技术基础课程建设”项目，荣获1989年国家级优秀教学研究成果奖。

在科研方面，主要从事交叉学科的研究，如生物医学信息的检测与分析以及细胞电生理研究。建立了国内第一个具有国际先进水平的细胞信使实验室。主持了多项国家级科研课题，开展国内、国际交流与合作，成绩卓著。培养了博士、硕士生40余名。发表了多篇学术论文和专著《膜片钳技术及其应用》（科学出版社，2002年）。

 

《电子技术基础：模拟部分（第六版）“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材》的上一版为普通高等教育“十五”国家级规划教材，第四版为面向21世纪课程教材，荣获2002年全国普通高等学校优秀教材一等奖。

为适应MOSFET器件在电子产品中已占统治地位这一发展形势，新版教材大力加强了MOSFET的相关内容。全书共11章，分别是：绪论，运算放大器，二极管及其基本电路，场效应三极管及其放大电路，双极结型三极管及其放大电路，频率响应，模拟集成电路，反馈放大电路，功率放大电路，信号处理与信号产生电路，直流稳压电源，电子电路的计算机辅助分析与设计。附录包含PSpice/SPICE软件简介、电路理论简明复习、电阻的彩色编码和标称阻值。

《电子技术基础：模拟部分（第六版）“十二五”普通高等教育本科国家级规划教材》可作为高等学校电气类、电子信息类、自动化类等专业“模拟电子技术基础”课程的教材，也可供相关工程技术人员参考。

 

康华光，1925年8月出生于湖南衡山，现为华中科技大学教授、博士生导师。长期从事电子技术教学与生物医学工程研究。

康教授1951年毕业于武汉大学电机工程学系并留校任教。1953年院系调整到华中科技大学（原华中工学院）工作至今。现任中国电子学会生物医学电子学分会委员。曾任国家教委高校工科电工课程教学指导委员会副主任兼电子技术课程教学指导小组组长。

 

1 绪论

1.1 信号

1.2 信号的频谱

1.3 模拟信号和数字信号

1.4 放大电路模型

1.5 放大电路的主要性能指标

小结

习题

 

2 运算放大器

2.1 集成电路运算放大器

2.2 理想运算放大器

2.3 基本线性运放电路

2.3.1 同相放大电路

2.3.2 反相放大电路

2.4 同相输入和反相输入放大电路的其他应用

2.4.1 求差电路

2.4.2 仪用放大器

2.4.3 求和电路

2.4.4 积分电路和微分电路

2.5 SPICE仿真例题

小结

习题

 

3 二极管及其基本电路

3.1 半导体的基本知识

3.1.1 半导体材料

3.1.2 半导体的共价键结构

3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用

3.1.4 杂质半导体

3.2 PN结的形成及特性

3.2.1 载流子的漂移与扩散

3.2.2 PN结的形成

3.2.3 PN结的单向导电性

3.2.4 PN结的反向击穿

3.2.5 PN结的电容效应

3.3 二极管

3.3.1 二极管的结构

3.3.2 二极管的/-V特性

3.3.3 二极管的主要参数

3.4 二极管的基本电路及其分析方法

3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法

3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法

3.5 特殊二极管

3.5.1 齐纳二极管

3.5.2 变容二极管

3.5.3 肖特基二极管

3.5.4 光电器件

3.6 SPICE仿真例题

小结

习题

 

4 场效应三极管及其放大电路

4.1 金属一氧化物一半导体（MOS）场效应三极管

4.1.1 N沟道增强型MOSFET

4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET

4.1.3 P沟道MOSFET

4.1.4 沟道长度调制等几种效应

4.1.5 MOSFET的主要参数

4.2 MOSFET基本共源极放大电路

4.2.1 基本共源极放大电路的组成

4.2.2 基本共源极放大电路的工作原理

4.2.3 放大电路的习惯画法和主要分析法

4.3 图解分析法

4.3.1 用图解方法确定静态工作点Q

4.3.2 动态工作情况的图解分析

4.3.3 图解分析法的适用范围

4.4 小信号模型分析法

4.4.1 MOSFET的小信号模型

4.4.2 用小信号模型分析共源极放大电路

4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路的分析

4.4.4 小信号模型分析法的适用范围

4.5 共漏极和共栅极放大电路

4.5.1 共漏极（源极跟随器）放大电路

4.5.2 共栅极放大电路

4.5.3 MOSFET放大电路三种组态的总结和比较

4.6 集成电路单级MOSFET放大电路

4.6.1 带增强型负载管的NMOS放大电路

4.6.2 带耗尽型负载管的NMOS放大电路

4.6.3 带PMOS负载管的NMOS放大电路（CMOS共源极放大电路）

4.7 多级放大电路

4.7.1 共源一共漏放大电路

4.7.2 共源一共栅放大电路

4.8 结型场效应管（JFET）及其放大电路

4.8.1 JFET的结构和工作原理

4.8.2 JFET的特性曲线及参数

4.8.3 JFET放大电路的小信号模型分析法

4.9 砷化镓金属一半导体场效应管

4.1 0各种FET的特性及使用注意事项

4.1 1SPICE仿真例题

小结

习题

 

5 双极结型三极管（BJT）及其放大电路

5.1 BJT

5.1.1 BJT的结构简介

5.1.2 放大状态下BJT的工作原理

5.1.3 BJT的/-V特性曲线

5.1.4 BJT的主要参数

5.1.5 温度对BJT参数及特性的影响

5.2 基本共射极放大电路

5.2.1 基本共射极放大电路的组成

5.2.2 基本共射极放大电路的工作原理

5.3 BJT放大电路的分析方法

5.3.1 BJT放大电路的图解分析法

5.3.2 BJT放大电路的小信号模型分析法

5.4 BJT放大电路静态工作点的稳定问题

5.4.1 温度对静态工作点的影响

5.4.2 射极偏置电路

5.5 共集电极放大电路和共基极放大电路

5.5.1 共集电极放大电路

5.5.2 共基极放大电路

5.5.3 BJT放大电路三种组态的比较

5.6 FET和BJT及其基本放大电路性能的比较

5.6.1 FET和BJT重要特性的比较

5.6.2 FET和BJT放大电路性能的比较

5.7 多级放大电路

5.7.1 共射一共基放大电路

5.7.2 共集一共集放大电路

5.7.3 共源一共基放大电路

5.8 光电三极管

5.9 SPICE仿真例题

小结

习题

 

6 频率响应

6.1 放大电路的频率响应

6.2 单时间常数RC电路的频率响应

……

7 模拟集成电路

8 反馈放大电路

9 功率放大电路

10 信号处理与信号产生电路

11 直流稳压电源

12 电子电路的计算机辅助分析与设计

附录A PSpice/SPICE软件简介

附录B 电路理论简明复习

附录C 电阻的彩色编码和标称阻值

参考文献

索引（汉英对照）

部分习题答案